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兆易創新(上海:603986)

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兆易創新已經停牌,后市該如何操作?請立即咨詢高手(已有30人咨詢)

所屬行業/所屬概念(共12個)
其他電子 2.20%

朗科智能20.274.43%

大立科技8.774.28%

惠威科技21.754.27%

重組概念 2.03%
基金重倉股概念 1.97%
人工智能概念 1.75%

股票名稱最新價漲跌幅

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  • 兆易創新個股預覽

上市日期:2016-08-18

發行價格:23.26元

成立日期:2005-04-06

雇員總數(人):521

所在地區:北京市

總經理:何衛(代)

注冊資本:28,489.45(萬元)

主營業務

閃存芯片及其衍生產品、微控制器產品的研發、技術支持和銷售

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資金流向
資金總凈流入
資金總流入,總流出
詳細>>

委比--委差--

賣5----

賣4----

賣3----

賣2----

賣1----

成交--現手--極速行情

買1----

買2----

買3----

買4----

買5----

--最新--今開 --漲跌--最高 --漲幅--最低 --總手--總額 --量比--換手 --漲停--跌停 --內盤--外盤

--市盈率0.139收益(一) 11.96市凈率7.02元凈資產 2.09億流通股174.01億流值 2.85億總股本239.03億總值

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  • 報告期:2019-03-31,下期預披露時間:2019-04-30更多>>
  • 財務指標
報告期 19一季 18年報 18三季 18中報 18一季
基本每股收益(元) 0.141 1.440 1.310 0.840 0.319
歸屬凈利潤(億元) 0.3968 4.05 3.67 2.35 0.8933
歸屬凈利潤同比增長率(%) -55.58 1.91 8.21 30.99 28.55
每股凈資產(元) 7.02 6.67 6.71 6.46 8.44
加權凈資產收益率(%) 2.03 22.25 19.99 13.46 5.15
營業總收入(億元) 4.56 22.46 17.21 11.07 5.42
收入同比增長率(%) -15.73 10.65 13.45 17.88 19.71
營業利潤率(%) 7.64 18.59 22.70 22.43 17.76
存貨周轉率(次) 0.48 2.21 1.56 1.04 0.51
資產負債率(%) 27.66 33.68 32.58 30.17 32.30

2019一季每股收益:0.141元,行業均值:0.06元,
行業排名:45/275,行業值最大:吉比特

每股收益凈利潤營業總收入凈資產收益率資產負債率
  • 股本股東

數據日期:2019-03-31更多>>

股東名稱持股數
(萬股)
占比
(%)
持股
變化
國家集成電路產業投資基金股份有限公司 3,121.3 15.05% 未變
訊安投資有限公司 2,134.59 10.29% 減持
陜西省國際信托股份有限公司-陜國投· 1,508.13 7.27% 未變
全國社;鹚牧阋唤M合 510.01 2.46% 減持
朱一明 432.8 2.09% 未變
全國社;鹨涣愣M合 360.97 1.74% 增持
深圳市中和春生壹號股權投資基金合伙企 345.24 1.66% 未變
中國工商銀行-南方成份精選股票型證券 280.01 1.35% 增持
香港中央結算有限公司 280.82 1.35% 增持
葛衛東 265.3 1.28% 增持
數據日期:2019-03-31更多>> 股東人數趨勢

2019年03月31日的最新股東數為30793,上一期為30793,幅度為0.0%,籌碼有持平趨勢。

  • 更新日期:2019-06-21更多>>
  • 兆易創新機構評級
盈利預測
預測指標2018年2019年2020年2021年
PE(倍)44.6445.0134.4735.87
EPS(元)1.442.172.782.41
凈利潤(億元)4.054.135.345.72
ROE(%)21.3519.4020.4520.17
機構評級

近一個月內,共有4家機構參與評級,預測目標均價:-- 元。

  • 兆易創新投資要點

要點1:公司擬在原有NORFlash的基礎上,研發90nm、65nm和45nm工藝節點的NORFlash,豐富公司的NORFlash產品線。本項目需建設一個434平米左右的研發基地,主要為芯片研發實驗室,其主要用作NORFlash的技術改造、研發、測試新的NORFlash產品。主要設備包括開發PC機、工作站和EDA開發工具、版本管理軟件、高速示波器、頻譜分析儀、信號源等軟硬件設備。本項目將縮小芯片面積,提高單位晶圓上的芯片數量,降低制造成本和功耗。在電路設計方面,提高時鐘頻率設計,對芯片電路及布局進行優化,使用獨特的塊技術提升單位面積的容量。項目建設期為三年。項目計劃總投資16,018.17萬元,其中工程費用2,846.92萬元,工程建設及其他費用7,721.25萬元,預備費750.00萬元,鋪底流動資金4,700.00萬元。

要點2:公司通過該項目,研發3X/2Xnm及以下先進制程NANDFlash技術,設計開發功能和性能強大的NANDFlash系列芯片及綜合應用解決方案。產品主要服務于小容量快閃存儲器芯片市場,同時兼顧eMMC、SSD等應用市場,滿足智能化產品和大容量市場需求。本項目的成功實施,將實現國內閃存芯片設計企業在NANDFlash領域的突破,部分技術達到國際領先水準。本項目需購置一處909平米左右的研發基地,主要為相關實驗室,具體為芯片研發實驗室、硬件研發實驗室和軟件研發實驗室。

要點3:該項目的主要建設內容包括MCU芯片及不同應用領域接口軟件的開發。在現有產品線基礎上,開發55nm及以下工藝節點MCU芯片,完善和補充110nm工藝MCU系列產品;圍繞MCU芯片在不同應用領域需求,開發相應的接口軟件程序。本項目需建設一個723平米左右的研發和產業化基地,包括芯片研發實驗室、硬件研發實驗室和軟件研發實驗室。項目建設期為三年。項目計劃總投資11995.47萬元,其中工程費用2607.40萬元,工程建設及其他費用6148.07萬元,預備費840.00萬元,鋪底流動資金2400.00萬元。

要點4:該項目擬在公司現有技術部門的基礎上,建設研發中心、增加相關研發設備、儲備相關基礎技術。本項目主要建設包括新型非易失性存儲器實驗室、下一代NANDFlash存儲器實驗室、下一代存儲器測試技術實驗室在內的三個主要實驗室;谖磥戆l展戰略和技術布局,研發中心將重點承擔三個研發方向,每個研發方向由若干待突破的核心技術組成。項目建設期為兩年。項目總投資3280.77萬元,其中工程費用1,210.00萬元、工程建設及其他費用1,760.77萬元、預備費100.00萬元、鋪底流動資金300.00萬元。本項目立足于前沿技術、基礎技術的開發和儲備,不直接產生經濟效益,其重要意義在于其覆蓋了公司中長期各階段基礎研究的重點,對于提高公司市場競爭力具有重要戰略意義。

要點5:2017年2月14日公告,公司擬以發行股份及支付現金的方式收購北京矽成100%股權。其中發行股份支付對價為455,000.00萬元,現金支付對價為195,000.00萬元。同時,公司擬募集配套資金203,000.00萬元。北京矽成的主營業務為提供高集成密度、高性能品質、高經濟價值的集成電路存儲芯片的研發、銷售和技術支持,以及集成電路模擬芯片(ANALOG)的研發和銷售。

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